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柔性Oled激光常見問題

發布時間:    來源:廣西桂林百利種苗有限公司   閱覽次數:3次

RY20激光修復機:

廣泛應用:超快激光針對半導體的精細微加工

★芯片去層及圖形線路切割lasercut

★Mask掩膜版的開路斷線熔接laserwelding(LCVD)

★針對Oled、Mini/Microled面板修復LaserRepair

系統設備參數:

1、電氣參數

●電源:220V/AV,大10A

●激光器電源:48V/DC,比較大8A。

2、機械參數

●Z軸行程:20mm

●Z軸小移動精度:1um

●整機重量:150Kg。

3、激光光學參數

●物鏡:5X、10X,20XNUV

●激光輸出波長:355nmMAX6mj、532nmMAX8mj、1064nmMAX20mj

●光斑調節范圍:0.010.01~44mm(物鏡前)

●小切割線寬:355nm1um;532nm1.2um;1064nm1.5um激光微加工形成方式;柔性Oled激光常見問題

激光

半導體激光器失效機理與案例分析:

半導體激光器失效模式主要表現為工作期間無輸出光強,或在恒定驅動電流下輸出光功率退化失效,當輸出功率退化至特定閾值,就會導致激光器失效。可靠性研究分析中心是國內專業從事電子元器件和各種電子產品失效分析技術研究和技術服務的機構。在對半導體激光器開展的失效分析工作中,經總結,半導體激光器的主要失效機理包括電極退化、歐姆接觸、腔面退化、環境污染等因素。

失效機理介紹及相關案例如下文所示。

1)電極退化電極退化通常發生在金屬與半導體材料的交界面,由于焊料材料擴散進半導體內部形成缺陷結構,大電流作用下導致缺陷位置熱量積累,終燒毀附近的金屬化層[2]。南昌激光切割不同掩模版的不透光材料有所不同。

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半導體業的銅引線封裝越來越成為發展主流,傳統的化學開封已無法完全滿足銅引線封裝的開封要求。激光開封機的誕生給分析領域帶來了新的技術。

激光開封機特點:

1、對銅引線封裝有很好的開封效果

2、對復雜樣品的開封極為方便

3、可重復性、一致性極高

、電腦控制開封形狀、位置、大小、時間等,操作便利

5、對環境及人體污染傷害較小,安全性高

6、幾乎沒有耗材,使用成本很低

7、體積較小,容易擺放

激光開封機是怎么操作的?開封,開蓋,開帽,指給完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來,同時保持芯片功能的完整無損,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實驗做準備,方便觀察或做其他測試(如FIB,EMMI), Decap后功能正常。

常見、有代表性的激光應用之激光光譜:以激光為光源的光譜技術。與普通光源相比,激光光源具有單色性好、亮度高、方向性強和相干性強等特點,是用來研究光與物質的相互作用,從而辨認物質及其所在體系的結構、組成、狀態及其變化的理想光源。激光的出現使原有的光譜技術在靈敏度和分辨率方面得到很大的改善。由于已能獲得強度極高、脈沖寬度極窄的激光,對多光子過程、非線性光化學過程以及分子被激發后的弛豫過程的觀察成為可能,并分別發展成為新的光譜技術。激光光譜學已成為與物理學、化學、生物學及材料科學等密切相關的研究領域。超快激光微加工是超快激光應用;

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大功率半導體激光器封裝技術中,主要有三個趨勢

(1)無銦化銦焊料是常用的焊料之一。由于銦焊料在高電流下易產生電遷移和電熱遷移的問題,影響半導體激光器的穩定性。通常采用金錫焊料封裝取代銦焊料封裝。

(2)高散熱:針對熱管理盡管已提出了多種散熱方式,例如金剛石傳導散熱和微通道散熱技術,如何提高散熱效率仍然是阻礙陣列半導體激光器高功率輸出的主要因素。熱應力通常是由于陣列激光器和襯底的熱膨脹系數(CTE)失配所導致。熱應力不僅限制了用于封裝的襯底材料/熱沉的選擇,而且影響半導體激光bar的可靠性、光譜寬度和光束的“smile”效應(各發射腔的近場非線性效應)。為了減小熱應力,目前通過采用高的熱傳導率和熱膨脹系數更加匹配的襯底/熱沉材料(無氧銅、純銀、金剛石、硅)。

(3)“無空洞”貼片技術:對于單陣列半導體激光器,由于陣列半導體激光器各個發光單元產生的熱量相互干擾和整體散熱不均勻,導致器件性能穩定性降低和限制功率上升;如果貼片層中存在空洞將明顯的影響陣列半導體激光的性能,包括輸出功率和可靠性等。現已有兩種降低貼片層中的空洞的方法:一種是在合理的控制環境溫度和壓力情況下使用貼片技術;另一種方法是真空回流技術。激光技術是20世紀與原子能、半導體及計算機齊名的四項重大發明之一。HSL-5500激光升級

激光應用之激光雷達;柔性Oled激光常見問題

近年來,半導體激光器在醫療、傳感、光學通訊、航空航天等領域的應用市場不斷擴大,半導體激光器的種類和制造工藝也更加豐富多樣。

許多新的應用領域要求半導體激光器具有更高的輸出功率。增加輸出功率主要有兩種方式:1)提高芯片生長技術從而增加單發射腔半導體激光器輸出功率。2)提陣列高半導體激光器發光單元的個數從而提高輸出功率。為進一步提高光輸出功率,提出了多種封裝技術,其中包括多單管模組、水平疊陣、垂直疊陣、面陣。

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